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化學符號為Ge ，主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。

密度：

5.765 g/cm3 ；

熔點：

937.4 ℃；

熱傳導性：

640；

摻雜物質：

不摻雜；摻Sb；摻In或Ga；

類型：

/；N；P；

電阻率

W.cm：

>35；0.05；0.05-0.1；

EPD：

< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2

常規(guī)尺寸：

晶體方向:，and± 0.5° 或特殊的方向；

標準拋光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；

（Ra<5A，不化拋）

注：也可根據(jù)客戶需求提供特殊尺寸和方向的基片

備注：

1000級超凈室100級超凈袋單片盒或25片插盒封裝